特征

先进的多功能TOF-SIMS更强大的微区分析能力，更加出色的分析精度

飞行时间二次离子质谱仪

·最新一代TRIFT质量分析器，更好的质量分辨率

·适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析

·独特的离子東技术

·平行成像MS/MS功能，助力有机大分子结构分析

·多功能选配附件

适用于各种形貌样品的TRIFT质量分析器

宽带通能量 宽立体接收角

一次离子源激发的二次离子会以不同角度和能量从样品表面飞出，特别是对于有高度差异和形貌不规则的样品，即使相同的二次离子在分析器中会存在飞行时间上的差异，因此导致质量分辨率变差，并对谱峰形状和背景产生影响。

TRIFT质量分析器可以同时对二次离子发射角度和能量进行校正，保证相同二次离子的飞行时间一致，所以TRIFT 兼顾了高质量分辨率和高检测灵敏度优势，而且对于不平整样品的成像可以减少阴影效应。

实现高精度分析的一次离子源

先进的离子束技术实现更高质量分辨

PHI nanoTOF 3⁺能够提供高质量分辨和高空间分辨的TOF-SIMS分析:在高质量分辨模式下，其空间分辨率优于500nm；在高空间分辨模式下，其空间分辨模式优于50nm。通过结合高强度离子源、高精度脉冲组件和高分辨率质量分析器，可以实现低噪声、高灵敏度和高质量分辨率的测量;在这两种模式下，只需几分钟的测试时间，均可完成采谱分析。

前所未见的无人值守TOF-SIMS自动化多样品分析

适用于绝缘材料

PHI nanoTOF 3⁺搭载全新开发的自动化多样品分析功能，程序可根据样品导电性自动调整分析时所需的高度与样品台偏压，可以对包括绝缘材料在内的各类样品进行无人值守自动化TOF-SIMS分析。

整个分析过程非常简单，只需三步即可对多个样品进行表面或深度分析：①在进样室拍摄样品台照片; ②在进样室拍摄的照片上指定分析点; ③按下分析键，设备自动开始分析。

过去，必须有熟练的操作人员专门操作仪器才能进行TOF-SIMS分析；现在，无论操作人员是否熟练，都可以获得高质量的分析数据。

标配自动化传样系统

PHI nanoTOF 3⁺配置了在XPS上表现优异的全自动样品传送系统：最大样品尺寸可达100 mmx100mm，而且分析室标配内置样品托停放装置; 结合分析序列编辑器(Queue Editor)，可以实现对大量样品的全自动连续测试。

新一代脉冲氩离子源

获得专利的自动荷电双束中和技术

TOF-SIMS测试的大部分样品为绝缘样品，而绝缘样品表面通常有荷电效应。PHI nanoTOF 3⁺采用自动荷电双束中和技术，通过同时发射低能量电子束和低能量氩离子束，可对任何类型和各种形貌的绝缘材料实现真正意义上的自动荷电中和，无需额外的人为操作。

远程访问实现远程控制仪器

PHI nanoTOF 3⁺允许通过局域网或互联网访问仪器。只需将样品台放入进样室，就可以对进样、换样、测试和分析等所有操作进行远程控制。我们的专业人员可以对仪器进行远程诊断

*如需远程诊断，请联系我们的客户服务人员。

从截面加工到截面分析：只需一个离子源即可完成

一次离子源具备FIB(Focused Ion Beam)功能

在PHl nanoTOF3⁺中，液态金属离子源具备FIB功能，可以使用标配的一次离子源对样品进行横截面加工和横截面TOF-SIMS分析。通过操作计算机，可以快速轻松地完成从FIB处理到TOF-SIMS分析的全过程。此外，可在冷却条件下进行FIB加工。

在选配Ga源进行FIB加工时，可以获得FIB加工区域的3D影像；Ga源还可以作为第二分析源进行TOF-SIMS分析。

通过平行成像MS/MS进行分子结构解析

平行成像MS/MS可同时采集MS1/MS2数据(专利)

在TOF-SIMS测试中，MS1质量分析器会接受所选质量范围内所有的二次离子碎片，对于质量数较大的分子离子，仅根据MS1谱图难以进行区分。通过串联质谱组件MS2质量分析器可对选择特定离子进行碰撞诱导解离，并采集所生成的次级离子碎片，根据MS2谱图所提供的二级质谱信息可对有机大分子结构进行准确识别。

PHl nanoTOF3⁺具备串联质谱MS/MS平行成像功能，可以同时获取分析区域的MS1和MS2数据，为有机大分子结构解析提供了强有力的工具。

多样化配置充分发挥TOF-SIMS潜力

可拆卸手套箱: 可安装在样品进样室

可以选配直接连接到样品进样室的可拆卸手套箱。锂离子电池和有机OLED等容易与大气发生反应的样品可以直接安装在样品台上。此外，在冷却分析后更换样品时，可以防止样品表面结霜。

氩团簇离子源(Ar-GCIB)：有机材料深度剖析

使用氩团簇离子源(Ar-GCIB)能够有效减少溅射过程中对有机材料的破坏，从而在刻蚀过程中保留有机大分子结构信息。

Cs源和Ar/02源:无机材料深度剖析

可根据测试需求选择不同的离子源提高二次离子产额，使用Cs源可增强负离子产额；O2源可增强正离子产额。

场地和环境要求(标配

设施要求

电力：200-230 V交流 · 单相50 A 50/60 Hz,

接地：D种

压缩空气：550-700 kPa

干氮气：最大18 kPa

Ar气：99.9995%

环境要求

静磁场：小于100 uT(1 G)

交变磁场：小于0.3 uT(3 mG)

振动：不超过6.35 um/sec.(1100 Hz)

温度：24.0℃±3.0℃

湿度：小于 70 %(无冷凝)

主要性能指标(使用Bi₃⁺⁺初次离子源)

低质量数质量分辨率：m/Δm ≥15,000 @ m/z=28, Si⁺(硅标样)

绝缘样品质量分辨率：m/Δm ≥15,000 @m/z=104,C₇H₄O⁺(PET标样)

束斑直径：50 nm(高空间分辨率模式下最小脉冲束斑直径)

500 nm(高质量分辨率模式下最小脉冲束斑直径)

选配附件

平行成像串联质谱MS/MS，氩气团簇离子源，C60团簇离子源，铯离子源，氩气/氧气离子源，加热/冷热样品台模块，高温样品台模块，样品传送装置，氧喷射源，聚焦离子束，聚焦离子束软件，样品制备腔室，进样室手套箱，离线数据分析软件，静态二次离了数据库。